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產品詳情
簡單介紹：
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
詳情介紹：
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
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MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
MX-1702E，無掩膜曝光裝置，小批量生產直描曝光，DNK大日本科研DSLY0505
利用獨自的高速描畫「Point Of Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。
特長：
能夠用于研究開發(fā)、試作、小批量生產等的直描曝光。
能夠對應以**PCB、高密度Packaging、平板顯示(FPD)等為首的MEMS等微細加工領域。
由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發(fā)成本和縮短市場供應時間。
此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
| MX-1201 | MX-1201 | MX-1201E | MX-1204 | MX-1702E | |
| *小線幅 (※1) | 5μm | 5μm | 3μm | 1μm | 10μm |
| 數據分辨率 | 0.5μm | 0.5μm | 0.25μm | 0.122μm | 1.0μm |
| *大基板尺寸 | 200 x 200mm | 200 x 200mm | 200 x 200mm | 150 x 150mm | 550 x 650mm |
| 有效曝光范圍 | 200 x 200mm | 200 x 200mm | 200 x 200mm | 150 x 150mm | 550 x 650mm |
| 激光主波長 | 405±5nm | 375±5nm | 405±5nm | 375±5nm | 405±5nm |
| 曝光掃描速度 | 43.9ｍｍ/ｓ | 22.5ｍｍ/ｓ | 10.9ｍｍ/ｓ | 92.2ｍｍ/ｓ | |
| 光學引擎裝配數量 | 1 | 7 | |||
※1 因光刻膠和顯影條件而異。
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